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空间太阳能电站需要高效率、良好环境适应性和长寿命的新型光电转换材料和大功率半导体器件.从功率器件和太阳能电池两个方面,概述了宽禁带半导体在太阳能技术中的应用和研发动态.采用宽禁带半导体设计的GaN高效固态功放和禁带宽度从0.7eV(InN)～3.4eV(GaN)连续可调的InGaN直接带隙的太阳能电池具有可靠性高、效率高、体积小、质量轻、高抗辐射能力等优点.因此,随着GaN基宽禁带半导体材料及器件的进一步发展,可助推空间太阳能电站早日实现.