【摘 要】
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采用两步AlN缓冲层（一层低温AlN和一层高温AlN）在r面蓝宝石衬底上生长了非极性的a面GaN,并利用高分辨X射线衍射和光致荧光谱对所生长的材料进行了研究。两步AlN缓冲层在我们之
【机 构】
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中国科学院物理研究所凝聚态国家重点实验室
【基金项目】
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Project supported by the National Natural Science Foundation of China（60890192,60877006,50872146）, the Chinese Science and Technology Ministry（“863”,No.2009AA033101）~~
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采用两步AlN缓冲层（一层低温AlN和一层高温AlN）在r面蓝宝石衬底上生长了非极性的a面GaN,并利用高分辨X射线衍射和光致荧光谱对所生长的材料进行了研究。两步AlN缓冲层在我们之前的工作中已被证明比单步高温AlN或低温GaN缓冲层更有利于减小材料各向异性和提高晶体质量,本文进一步优化了两步AlN缓冲层的结构,并得到了各向异性更小,晶体质量更好的a面GaN薄膜。分析表明,两步AlN缓冲层中的低温AlN层在减小各向异性中起着关键作用。低温AlN层能抑制了优势方向（c轴）的原子迁移,有利于劣势方向（m轴）的
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