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优化了热丝法氢处理多晶硅锗薄膜工艺条件．通过测试材料暗电导的温度特性得出多晶硅锗材料的电导激活能，从而考察氢处理效果．结果表明，采用此技术可有效减少多晶硅锗薄膜中的缺陷态．在优化氢处理时衬底和热丝的温度后，可以把处理时间缩短致30min之内，明显短于其他氢处理技术．
热丝法氢处理多晶硅锗薄膜
【摘 要】
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优化了热丝法氢处理多晶硅锗薄膜工艺条件．通过测试材料暗电导的温度特性得出多晶硅锗材料的电导激活能，从而考察氢处理效果．结果表明，采用此技术可有效减少多晶硅锗薄膜中的缺陷
【机 构】
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南开大学光电子研究所
【出 处】
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半导体学报
【发表日期】
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2007年3期
【基金项目】
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天津市自然科学基金（批准号：043612511）,国家自然科学基金（批准号：60437030）和教育部留学回国人员科研启动基金资助项目
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