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对常压烧结的SiC陶瓷与TiAl金属间化合物进行了真空扩散连接。采用扫描电镜、电子和X射线衍射分析等确定了反应产物的种类和接头的界面结构,并用拉剪试验评价了接头的连接强度。研究结果表明:SiC与TiAl扩散连接中生成了TiAl2、TiC和T5Si3Cx三种上,接头的界面结构为SiC/TiC/(TiC+Ti5Si3Cx)/TiAl。在1573K和1.8ks的连接条件下,接头室温剪强度达到240MPa