【摘 要】
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With the miniaturization and integration of microelectronic components,power density of electronic devices such as integrated circuits,light emitting diodes (LEDs),and semiconductor lasers in-creases dramatically [1].Traditional thermal management materi-
【机 构】
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State Key Laboratory for Advanced Metals and Materials,University of Science and Technology Beijing,
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With the miniaturization and integration of microelectronic components,power density of electronic devices such as integrated circuits,light emitting diodes (LEDs),and semiconductor lasers in-creases dramatically [1].Traditional thermal management materi-als are difficult to maintain the safety and reliability of the high-power devices.Due to the high thermal conductivity (TC) and suit-able coefficient of thermal expansion (CTE),diamond particles rein-forced Cu matrix (Cu/diamond) composite is considered as an ideal material for heat dissipation of the electronic devices [2].However,the TC of Cu/diamond composite is extremely low because of the poor wettability and non-chemical affinity between Cu and dia-mond.To improve the interfacial bonding,various kinds of carbide layers have been introduced in between the Cu matrix and the di-amond reinforcement by means of metal matrix alloying [3-5] or diamond surface metallization [6-8].
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