【摘 要】
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文章提出了一种基于IGBT等效电路模型及其Ⅰ-Ⅴ特性曲线拟合提取IGBT低掺杂外延层载流子寿命的新方法.文中的IGBT模型运用精确的双极输运理论而不是其它文献报到的准静态条件
【基金项目】
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教育部博士基金;国家自然科学基金
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文章提出了一种基于IGBT等效电路模型及其Ⅰ-Ⅴ特性曲线拟合提取IGBT低掺杂外延层载流子寿命的新方法.文中的IGBT模型运用精确的双极输运理论而不是其它文献报到的准静态条件假设,通过压控电阻模型准确描述IGBT高阻厚外延层的电导调制效应,取得了很好的效果.该模型完全与SPICE应用程序兼容,可以精确算出IGBT输出Ⅰ-Ⅴ特性及载流子寿命等参数.
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