【摘 要】
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报道了共振隧穿二极管（RTD）在压力下的弛豫振荡特性．采用Pspice8．0软件仿真并设计了振荡电路，测得其振荡频率达200kHz．在（100）半绝缘（SI）GaAs衬底上利用分子束外延（MBE）技术生长了AlAs／In，G
【机 构】
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中北大学电子测试技术国家重点实验室
【基金项目】
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国家自然科学基金资助项目（批准号：50405025,50535030）
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报道了共振隧穿二极管（RTD）在压力下的弛豫振荡特性．采用Pspice8．0软件仿真并设计了振荡电路，测得其振荡频率达200kHz．在（100）半绝缘（SI）GaAs衬底上利用分子束外延（MBE）技术生长了AlAs／In，Ga，-xAs／GaAs双势垒共振隧穿结构（DBRTS），并采用Au／Ge／Ni／Au金属化和空气桥结构成功加工出了RTD．由于RTD的压阻效应，采用显微喇曼光谱仪标定所加应力大小，对RTD在加压条件下的振荡特性进行了研究，结果表明其弛豫振荡频率大致有-17．9kHz／MPa的改变量．
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