论文部分内容阅读
本文通过对荣华二采区10<
基板晶体学特征对镀层相结构及抗粉化性能的影响
【摘 要】
：
本文通过对荣华二采区10
【出 处】
：
黑龙江科技信息
【发表日期】
：
2018年8期
其他文献
作为第三代半导体材料代表的GaN材料,相对来说具有禁带宽度大、击穿场强高以及高电子密度和高的电子迁移率等优点,因此成为高温、高频、微波毫米波领域半导体器件的理想材料