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介绍了在相同工艺条件下，Ｎ沟和Ｐ沟输入两种不同结构ＣＭＯＳ运算放大器电路的电离辐射响应规律及各子电路对电特性的影响情况，结果表明：由辐照感生的氧化物电荷引起的Ｎ沟镜像负载的不对称是导致Ｐ沟输入运放电特性衰离的主要机制；而由氧化物电荷和界面态引起的Ｎ沟差分对的漏电增大则是造成Ｎ沟输入运放电路性能变差的主要原因。