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主要研究了1．5MeV、剂量为3．5×10^17e／cm2的电子辐照后的直拉硅经后续高温热处理，其体内氧沉淀的变化情况以及清洁区的形成。结果表明，电子辐照促进了直拉硅中氧沉淀的生成，而且经过快速热处理再加上高温一步退火，电子辐照后的直拉硅内形成一定宽度的清洁区，而且清洁区的宽度随快速热处理温度的升高而变窄。