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在玻璃基底和四种硅基底上用反应式直流磁控溅射法制备了ＺｎＯ薄膜。用ＡＥＳ和ＸＲＤ对薄膜结构和组分进行测试，结果表明，五种基底上生长的ＺｎＯ薄膜在不同程度上都具有优良的纵均匀性、明显的ｃ轴择优取向和较高的结晶度，而硅基底上薄膜的结构普遍优于玻璃基底上沉积的薄膜。
多种基底上溅射沉积ZnO薄膜的结构
【摘 要】
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在玻璃基底和四种硅基底上用反应式直流磁控溅射法制备了ＺｎＯ薄膜。用ＡＥＳ和ＸＲＤ对薄膜结构和组分进行测试，结果表明，五种基底上生长的ＺｎＯ薄膜在不同程度上都具有优良的纵均匀性、明显的ｃ轴择优
【机 构】
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中国科学院上海光学精密机械研究所薄膜技术中心,中国科学院半导体研究所半导体材料科学
【出 处】
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功能材料与器件学报
【发表日期】
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1999年1期
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