40nm工艺SRAM型FPGA总剂量辐射效应研究

来源 :电子与封装 | 被引量 : 0次 | 上传用户：JIA814418

【摘要】

：

对自主研发的40nm工艺SRAM型FPGA电路的抗总剂量辐射能力进行摸底试验和分析.试验表明,采用普通商用40nm工艺未做加固的FPGA电路抗总剂量辐射能力可达100krad（Si）,说明普通商用

【作者】

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徐玉婷孙静郭俊杰闫华

【机构】

：

无锡中微亿芯有限公司,中国电子科技集团公司第五十八研究所

【出处】

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电子与封装

【发表日期】

：

2017年12期

【关键词】

：

40nm FPGA 总剂量辐射试验 40 nm FPGA TID test

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对自主研发的40nm工艺SRAM型FPGA电路的抗总剂量辐射能力进行摸底试验和分析.试验表明,采用普通商用40nm工艺未做加固的FPGA电路抗总剂量辐射能力可达100krad（Si）,说明普通商用40nm工艺本身具有一定的抗总剂量性能.同时验证了总剂量辐射引起的器件参数退化随栅氧化层厚度的减薄而下降.

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