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研究了在LPLV CMOS工艺中,用表面沟PMOS管工艺使NMOS管的阈值电压发生偏移的问题.在使用表面沟PMOS管的LPLV CMOS工艺中,NMOS管的多晶栅中的杂质不能达到均匀的分布,导致阈值电压发生偏移.文章提出了三个解决方案,并对其可行性进行了研究.
低功耗CMOS工艺中NMOS管阈值电压偏移的研究
【摘 要】
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研究了在LPLV CMOS工艺中,用表面沟PMOS管工艺使NMOS管的阈值电压发生偏移的问题.在使用表面沟PMOS管的LPLV CMOS工艺中,NMOS管的多晶栅中的杂质不能达到均匀的分布,导致阈值
【机 构】
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清华大学微电子学研究所
【出 处】
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微电子学
【发表日期】
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2002年3期
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