【摘 要】
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碳化硅(SiC)金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)作为一种新型的宽禁带半导体材料,拥有良好的高频开关性能,能够有效提升电力电子变换器的效率及功率密度。以某公司的一款S
【机 构】
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华中科技大学,中核兰州铀浓缩有限公司
【基金项目】
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国家自然科学基金(61472154)~~
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碳化硅(SiC)金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)作为一种新型的宽禁带半导体材料,拥有良好的高频开关性能,能够有效提升电力电子变换器的效率及功率密度。以某公司的一款SiCMOSFET全桥模块为基础,通过在Saber仿真软件中建模以及搭建双脉冲测试电路,验证驱动电阻对器件开关性能的影响。同时设计了基于ACPL-339J隔离光耦的驱动电路,重点介绍保护电路的设计,并给出桥臂串扰抑制电路的参数整定方法。最后通过搭建三相脉宽调制(PWM)整流器物理实验平台验证驱动电路的有效性.并且对仿真结论进行了实验验
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