【摘 要】
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测试了各种工艺条件下真空电弧沉积(VAD)的TiN薄膜的显微硬度,并研究了TiN薄膜硬度随基材、电弧电流、基片温度、氮气压力及负偏压的变化.实验结果表明:在多数基材上,薄膜硬
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测试了各种工艺条件下真空电弧沉积(VAD)的TiN薄膜的显微硬度,并研究了TiN薄膜硬度随基材、电弧电流、基片温度、氮气压力及负偏压的变化.实验结果表明:在多数基材上,薄膜硬度均接近或超过20 GPa,且薄膜的硬度与基材的硬度不呈比例关系,TiN薄膜的硬度随电流的增加有减少的趋势;在相当宽的温区内,TiN薄膜的硬度随温度上升而增大,而且在高温下的硬度值比低温时稳定,总体上,VAD比其它离子镀具有更宽阔的T区;在氮气压力为0.1 Pa~1 Pa的区域内,TiN薄膜的硬度稳定在20 MPa以上,而且适当的负偏
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