【摘 要】
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在１５７５℃至１７２５℃的温度范围内，３至１０ＭＰａ的压应力下，对ＭｇＯ单晶沿（１００）荷重轴的蠕变特性进行了研究，人们发现，ＭｇＯ的单晶具有一种Ｓ形的蠕变特性可用Ｈａａｓｅｎ的理论来加以阐明，位错倍增是造成初始变形阶段蠕变速率提高的
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在１５７５℃至１７２５℃的温度范围内，３至１０ＭＰａ的压应力下，对ＭｇＯ单晶沿（１００）荷重轴的蠕变特性进行了研究，人们发现，ＭｇＯ的单晶具有一种Ｓ形的蠕变特性可用Ｈａａｓｅｎ的理论来加以阐明，位错倍增是造成初始变形阶段蠕变速率提高的原因，涉及一些位错相互作用，据测定结果，在Ｓ形的蠕变曲线拐点上的应力指数为３．４左右，而在稳定状态下接近２．２，在稳定状态的蠕变特性主要与在两个互相垂直的连接的（１１
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