论文部分内容阅读
动态雪崩问题是影响高压硅功率二极管如高压快恢复二极管（FRD）坚固性的一个主要因素.文中通过仿真计算,比较了高压FRD两种不同终端结构的动态雪崩特性.结果表明,横向变掺杂2（VLD）终端结构的动态雪崩耐量比结终端延伸（JTE）结构更优.为改善后者动态雪崩过程中结终端处的电流丝化问题,文中提出改用p＋/p阳极结构中的P型缓冲层做介于有源区与终端区之间的电阻区.仿真结果表明,相应的电流丝化问题可得到显著缓解.