【摘 要】
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采用溶胶-凝胶法,在Pt/Ti/SiO2/p-Si衬底上制备BNT(Bi3.15Nd0.85Ti3O12)薄膜,再采用ICP刻蚀工艺,对BNT薄膜进行刻蚀。当Ar∶Cl2的比例约为1∶4时,BNT薄膜的刻蚀速率达到最大
【机 构】
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长春工程学院机电学院,宁波材料研究所,
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采用溶胶-凝胶法,在Pt/Ti/SiO2/p-Si衬底上制备BNT(Bi3.15Nd0.85Ti3O12)薄膜,再采用ICP刻蚀工艺,对BNT薄膜进行刻蚀。当Ar∶Cl2的比例约为1∶4时,BNT薄膜的刻蚀速率达到最大。经过ICP刻蚀后,BNT薄膜的铁电性能有所下降,薄膜边缘平直、清晰,薄膜所受的拉应力先增大,后随着加入Ar比例的增大而逐渐减小。
BNT (Bi3.15Nd0.85Ti3O12) thin film was prepared on Pt / Ti / SiO2 / p-Si substrate by sol-gel method, and then the BNT thin film was etched by ICP etching process. When the ratio of Ar: Cl is about 1: 4, the etching rate of BNT film reaches the maximum. After ICP etching, the ferroelectric properties of BNT films decrease, the edges of the films are flat and clear, the tensile stress of the films first increases, and then decreases with the increase of Ar content.
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