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采用恒定电流应力对薄栅氧化层MOS电容进行了TDDB评价实验，提出了精确测量和表征陷阱密度及累积失效的方法，该方法根据电荷陷落的动态平衡方程，测量恒流应力下MOS电容的栅电压变化曲线和应力前后的高频C－V曲线变化求解陷阱密度，从实验中可以直接提取表征陷阱的动态参数，在此基础上，可以对器件的累积失效率进行精确的评估。