科锐推出S波段GaN器件,实现雷达应用的效率最大化

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科锐公司宣布推出可适用于军用和商用S渡段雷达中的高效GaNHEMT晶体管。新型S波段GaNHEMT晶体管的额定功率为60W,频率为3.1—3.5GHz之间,与传统Si或GaAsMESFET器件相比,能够提供优越的漏极效率(接近70%)。同时,高效率和高功率密度的结合有助于最大限度地降低散热的要求,并减少在商用雷达系统应用中的尺寸与重量。
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