【摘 要】
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以BaSnO3纳米粉体作为添加剂制备(1-x)Ba(Mg1/3Ta2/3)O3-xBaSnO3陶瓷,并与以SnO2为起始原料直接合成的BMT-BS陶瓷作了对比研究.当x(Sn)=12%时,两种工艺在1 500℃保温4 h均能
【基金项目】
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国家高技术研究发展计划(863计划)
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以BaSnO3纳米粉体作为添加剂制备(1-x)Ba(Mg1/3Ta2/3)O3-xBaSnO3陶瓷,并与以SnO2为起始原料直接合成的BMT-BS陶瓷作了对比研究.当x(Sn)=12%时,两种工艺在1 500℃保温4 h均能使材料烧结致密.不同的工艺对材料介电常数(εr)和谐振频率温度系数(τt)的影响没有明显差异,但掺杂BaSnO3纳米粉体的试样具有明显较高的品质因数(Q),该材料的微波介电性能为:εr=24.6,τf≈0.8×10-6/℃,Q×f≈2.24×105 GHz
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