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日前，台积电和ARM宣布：双方在65nm低功耗测试芯片上的设计合作显著降低了其动态功率和耗散（Leakage）功率。两家公司认为创新的低功耗设计技术对于最终的成功起到了关键的作用。
台积电和ARM合作，显著降低65nm低功耗测试芯片的功耗
【摘 要】
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日前，台积电和ARM宣布：双方在65nm低功耗测试芯片上的设计合作显著降低了其动态功率和耗散（Leakage）功率。两家公司认为创新的低功耗设计技术对于最终的成功起到了关键的作用。
【出 处】
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电子工业专用设备
【发表日期】
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2006年8期
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