【摘 要】
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根据经高温烧蚀后SiO2/SiO2复合材料物态表征结果,分析了室温至1200℃温度范围内影响SiO2/SiO2复合材料介电性能的主要因素。运用有效媒质理论,建立计算SiO2/SiO2复合材料介
【机 构】
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北京理工大学材料科学与工程学院,燕山大学物理系,先进功能复合材料国防科技重点实验室
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根据经高温烧蚀后SiO2/SiO2复合材料物态表征结果,分析了室温至1200℃温度范围内影响SiO2/SiO2复合材料介电性能的主要因素。运用有效媒质理论,建立计算SiO2/SiO2复合材料介电参数的经验模型,实现SiO2/SiO2复合材料高温介电性能温度特性模拟(室温~1200℃),模拟结果与实际结果基本相符。在此基础上,对1200~1500℃温度范围内SiO2/SiO2复合材料介电性能的变化规律作出预测。
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