化学腐蚀法制备的光纤Fabry-Perot位移传感器

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提出了一种采用化学腐蚀方法制备光纤Fabry-Perot(F-P)位移传感器的方法。采用浓度为40%的氢氟酸溶液腐蚀处理单模光纤端面, 通过电弧放电对光纤端面进行熔接, 制作光纤F-P传感器, 并通过改变传感腔尾纤的粗糙度对其进行优化。实验中, 将制备好的F-P腔结构的尾纤端面做未切平和切平处理, 得到的条纹对比度分别为16和8dB。分别对两种情况的光纤F-P传感器的位移特性进行了实验和分析, 结果表明:采用化学腐蚀法制作的光纤F-P传感器对位移具有良好的灵敏度和线性拟合优度, 尾纤端未切平的F-P的线性拟合优度更好, 测量精确度更高, 灵敏度可达到0.0100nm/μm, 线性拟合优度为0.9993。
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