Effect of annealing on wet etch of amorphous IGZO thin film

来源 :Journal of Shanghai University(English Edition) | 被引量 : 0次 | 上传用户：Z12456879

【摘要】

：

非结晶的 InGaZnO (a-IGZO ) 电影被无线电频率劈啪作响和退火在上的影响在玻璃底层上扔湿 a-IGZO 蚀刻电影被调查。结果显示出那随退火的增加蚀刻 IGZO 电影减少的率温度。

【作者】

：

陈龙龙石继锋李倩李喜峰张建华

【机构】

：

KeyLaboratoryofAdvancedDisplayandSystemApplication（ShanghaiUniversity）

【出处】

：

Journal of Shanghai University(English Edition)

【发表日期】

：

2011年4期

【关键词】

：

薄膜沉积退火温度蚀刻非晶薄膜晶体管射频溅射玻璃基板刻蚀速率 amorphous InGaZnO （a-IGZO） annealing etch

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非结晶的 InGaZnO (a-IGZO ) 电影被无线电频率劈啪作响和退火在上的影响在玻璃底层上扔湿 a-IGZO 蚀刻电影被调查。结果显示出那随退火的增加蚀刻 IGZO 电影减少的率温度。蚀刻逐渐变细角度是不到 60ng 电子显微镜学(SEM ) ，半导体参数分析器和 spectrophotometry 分别地。IGZO 薄电影的电的性质上的氧流动的影响被学习，显示出那增加的氧 f 吗？

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