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基于直接键合硅片表面能与退火温度的关系曲线，定量讨论了键合时键合界面上的微观动力学变化过程。首次提出五阶段键合模型计算值与实测表面能曲线相一致，初步确定了键合过程中界面发生的微观反应机理。
硅片直接键合的微观动力学研究
【摘 要】
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基于直接键合硅片表面能与退火温度的关系曲线，定量讨论了键合时键合界面上的微观动力学变化过程。首次提出五阶段键合模型计算值与实测表面能曲线相一致，初步确定了键合过程中
【机 构】
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电子科技大学微电子所
【出 处】
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半导体技术
【发表日期】
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1999年6期
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