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以ＢａＣＯ３，ＳｎＯ２，ＴｉＯ２为原料采用一次混合合成烧块法，常因原料混合不均以及固溶不完全，在烧成冷却过程中，在晶界上偏析出ＳｎＯ２或富锡锡酸盐半导体，导致绝缘电阻，介质损耗和耐电强度等电性能严重生化。采用预先分别合成烧块的方法，使ＳｎＯ２与其它原料完善地转化成绝缘性能的锡酸盐，有效地避免了介电性能的异常现象。