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采用离子束溅射Fe靶的方法在500～800℃的Si（111）衬底上制备出不同种类的铁硅化合物。当衬底温度为700℃时得到厚度为500nm的单相的β-FeSi2薄膜，高分辨透射电镜证实该β-FeSiz薄膜为局部外延，薄膜和Si衬底之间界面明显，没有中间层。
Si（111）衬底上离子束溅射沉积法生长β-FeSi2薄膜的研究
【摘 要】
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采用离子束溅射Fe靶的方法在500～800℃的Si（111）衬底上制备出不同种类的铁硅化合物。当衬底温度为700℃时得到厚度为500nm的单相的β-FeSi2薄膜，高分辨透射电镜证实该β-FeSiz薄
【机 构】
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中国电子科技集团公司第二十七研究所,燕山大学环境与化学工程学院
【出 处】
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功能材料
【发表日期】
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2006年11期
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