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基于PI隔离介质的厚膜金属互连工艺,是一种使用新型低K值材料作为隔离介质,并采用电化学沉积作为主要金属生长方式的金属厚膜互联技术,这种技术将有效解决丝网印刷工艺中的导电层图形分辨率低、导电层厚度不易控制、不易制备高熔点金属厚膜导电层等问题,并且利用新型隔离材料将有效减小工艺中产生的寄生电容。