【摘 要】
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基于2μm InGaP/GaAs HBT工艺技术,提出了一种3.4~3.6GHz功率放大器芯片电路的设计.功率放大器采用三级级联放大电路结构,其输出匹配网络设计在片外并通过PCB板实现.为了降低
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基于2μm InGaP/GaAs HBT工艺技术,提出了一种3.4~3.6GHz功率放大器芯片电路的设计.功率放大器采用三级级联放大电路结构,其输出匹配网络设计在片外并通过PCB板实现.为了降低二次和三次谐波,在片外输出匹配网络中设计了一种串联谐振支路,并通过一根金丝引线与功放芯片相连.通过上述方法,谐波被有效抑制,在Vcc=4.3V和Vbias=3.3V供电下,测得3.4GHz下的1dB压缩点输出功率为28.5dBm,相应的功率附加效率为28.3%,其二次和三次谐波抑制比分别达到-50dBc和-43dB
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