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目的
分析PDLIM4(PDZ and LIM domain 4)基因与胶质瘤预后及放射敏感性的影响。
方法应用生物信息学技术对GSE53733芯片进行分析得出差异性表达基因，并使用免疫印迹法(Western blot)检测PDLIM4蛋白表达，实时荧光定量PCR、siRNA、MTT、流式细胞法检测、X射线照射等方法研究PDLIM4基因对胶质瘤预后及胶质瘤细胞照射敏感的相关性。
结果生物信息学分析结果提示PDLIM4在芯片中表达差异最明显(logFC＝1.055 897, P<0.05)。通过40例胶质瘤的qPCR结果证实PDLIM4在高级别与低级别胶质瘤中差异表达(t＝4.44, P<0.05)，并与患者生存时间具有相关性(χ2＝5.52, P<0.05)，且PDLIM4基因与胶质瘤细胞的放射敏感性相关(t＝35.99, P<0.05)。
结论PDLIM4基因表达水平与胶质瘤恶性程度及预后相关，并参与了细胞的X射线抵抗。