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电感耦合等离子体（ICP）是一种极具发展前景的低温高密度等离子体源，已经在大规模集成电路的深亚微米刻蚀和大面积均匀薄膜的淀积中得到广泛应用。采用自主设计的ICP-CVD设备，在不同的衬底条件和SiH4浓度下制备了一系列的Si薄膜样品。采用多种结构分析手段对样品进行了测试，发现薄膜是非晶相、结晶相和孔隙的混合物，在较低的放电功率下即出现了相当比例的结晶相，对样品电导率和光学带隙的测试也进一步验证了这一结果。