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利用室温下反应磁控溅射的方法在p-Si(100)衬底上制备了HfO2栅介质层，研究了HfO2高k栅介质的电流传输机制和应力引起泄漏电流(SILC)效应．对HfO2栅介质泄漏电流输运机制的分析表明，在电子由衬底注入的情况下，泄漏电流主要由Schottky发射机制引起。而在电子由栅注入的情况下，泄漏电流由Schottky发射和Frenkel-Poole发射两种机制共同引起．通过对SILC的分析。在没有加应力前HfO2／Si界面层存在较少的界面陷阱，而加上负的栅压应力后在界面处会产生新的界面陷阱，随着新产生界面