【摘 要】
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采用第二相粒子AlN的添加方法,其中SiC:AlN质量比为85:15(外加0.5ω/%的Y2O3)的组分混合均匀后干燥过筛,并且置于石墨模具中热压制备SiC/AlN复合材料.热压烧结条件为Ar气氛中
【基金项目】
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973项目(G2000067204-2)和上海市重大基础研究项目(04DZ14002)资助
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采用第二相粒子AlN的添加方法,其中SiC:AlN质量比为85:15(外加0.5ω/%的Y2O3)的组分混合均匀后干燥过筛,并且置于石墨模具中热压制备SiC/AlN复合材料.热压烧结条件为Ar气氛中1950℃,40MPa,保温30min.运用XRD确定SiC与AlN接触面与非接触面的相组成,确认烧结过程为氮化铝发生单向的蒸发行为和固相烧结行为.高温烧结时,SiC/AlN复合材料的烧结过程可视为一种单向的传质即AlN蒸发并且沉积在SiC颗粒表面.然后在扩散传质过程中,AlN向SiC颗粒内部扩散并且在碳化硅晶
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