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研究了ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ多量子阱结构的电场光调制特性，测量了光反射谱、光电流谱和光电流电压特性。结果表明，在Ｉ－Ｖ特性中存在光电流负微分电阻区，由这种多量子阱材料制备的自电光效应器件（ＳＥＥＤ）观察到明显的量子限制Ｓｔａｒｋ效应。
多量子阱自电光效应器件及其负阻特性
【摘 要】
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研究了ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ多量子阱结构的电场光调制特性，测量了光反射谱、光电流谱和光电流电压特性。结果表明，在Ｉ－Ｖ特性中存在光电流负微分电阻区，由这种多量子阱材料制备的自电光效应器件（ＳＥＥＤ）观察到明
【机 构】
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天津大学精密仪器与光电子工程学院,中国科学院半导体研究所
【出 处】
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天津大学学报
【发表日期】
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1998年2期
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