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制备了大功率实折射率GaInP／AlGaInP压应变分别限制量子阱激光器．所用外延材料在15°偏角的GaAs衬底上由有机金属气相外延一次外延生长得到．制备的激光器具有双沟脊波导结构，条宽和腔长分别为3和900μm，前后端面分别蒸镀5％的增透膜和95％的高反膜．分析了室温连续激射时激光器的光电输出性能．阈值电流的典型值为32mA，光学灾变阈值为88mW，功率为80mW时的工作电流为110mA，斜率效率为1W／A，串联电阻为3Ω．基横模光输出功率可达60mW，60mW时的平行结和垂直结的远场发散角分