【摘 要】
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ＳｉＧｅ／ＳｉＨＢＴ的基区杂质在工艺过程中外扩到发射区和收集区，使得低温增益下降。提出采用适当厚度的隔离层的方法，使ＨＢＴ电流增益在低温下增长。
The base impurity of SiGe / SiHBT expands ou
【机 构】
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北京工业大学电子工程系,中科院物理研究所
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ＳｉＧｅ／ＳｉＨＢＴ的基区杂质在工艺过程中外扩到发射区和收集区，使得低温增益下降。提出采用适当厚度的隔离层的方法，使ＨＢＴ电流增益在低温下增长。
The base impurity of SiGe / SiHBT expands outside the emitter and collector region during the process, so that the low-temperature gain decreases. A method of using a suitable thickness of isolation layer is proposed to increase the HBT current gain at a low temperature.
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