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本文提出了一种低电压、高线性度CMOS射频混频器。在LC折叠式共源共栅结构中，通过并联一工作在弱反应区的辅助MOS管的方法来改善线性度。在1V的工作电压下，采用TSMC0.18μm射频CMOS工艺仿真表明，该方法在基本不影响混频器其它参数如增益、功耗、噪声的条件下IIP3提高了6dB。
一种1V 2.4G CMOS高线性度混频器
【摘 要】
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本文提出了一种低电压、高线性度CMOS射频混频器。在LC折叠式共源共栅结构中，通过并联一工作在弱反应区的辅助MOS管的方法来改善线性度。在1V的工作电压下，采用TSMC0.18μm射频
【机 构】
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湖南大学计算机与通信学院,湘潭大学信息工程学院
【出 处】
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微计算机信息
【发表日期】
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2009年5期
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