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利用Ｚ扫描法和波长为０．５３μｍ、脉宽为１０ｎｓ的调Ｑ－Ｎｄ：ＹＡＧ激光器测量了ａ－Ｓｉ／ＳｉＯ２多量子阱材料的三阶非线性折射率。并对该材料光学非线性的产生机理作用了探讨。
用Z扫描法测量a—Si／SiO2多量子阱材料非线性折射率
【摘 要】
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利用Ｚ扫描法和波长为０．５３μｍ、脉宽为１０ｎｓ的调Ｑ－Ｎｄ：ＹＡＧ激光器测量了ａ－Ｓｉ／ＳｉＯ２多量子阱材料的三阶非线性折射率。并对该材料光学非线性的产生机理作用了探讨。
【机 构】
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国立华侨大学,中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室
【出 处】
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光电子．激光
【发表日期】
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1999年5期
【基金项目】
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国家自然科学重大基金
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