0.35μm SiGe BiCMOS工艺Colpitts振荡器分析与设计

来源 :固体电子学研究与进展 | 被引量 : 0次 | 上传用户：liongliong599

【摘要】

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应用标准0.35μm SiGe BiCMOS工艺设计Colpitts压控振荡器。采用开环S参数计算电路指标,计算结果与测量结果符合较好。测量结果表明,在3.3V电源电压下,压控振荡器的频率范围

【作者】

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郭雪锋王志功李智群

【机构】

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东南大学射频与光电集成电路研究所,东南大学射频与光电集成电路研究所南京,210096

【出处】

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固体电子学研究与进展

【发表日期】

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2008年1期

【关键词】

：

压控振荡器锗硅 S参数相位噪声 VCO SiGe S-parameter phase noise

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应用标准0.35μm SiGe BiCMOS工艺设计Colpitts压控振荡器。采用开环S参数计算电路指标,计算结果与测量结果符合较好。测量结果表明,在3.3V电源电压下,压控振荡器的频率范围覆盖340~400MHz,10kHz频偏处相位噪声为-91dBc/Hz,输出功率-3dBm。芯片面积550μm×300μm。

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