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采用扫描电镜（SEM）、X光电子能谱仪（XPS）、二次离子质谱仪（SIMS）等多种微分析手段对失效器件芯片表面生成物产生原因进行了分析，同时结合器件制备工艺和器件可靠性实验分析了Si3N4钝化层质量与工艺的关系。通过大量分析实验，确定了器件失效的重要原因是Si3N4钝化层存在缺陷而导致器件因表面漏电而失效。实验结果表明，将Si3N4钝化层中SiOx含量控制在10%以下，器件管壳内水分控制在1%以下，器件经过1 000 h电老化后芯片表面无生成物产生。