超小封装芯片级MOSFET

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【摘要】

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MICRO FOOT功率MOSFET Si8461DB和Si8465DB最大尺寸为1mm×1mm×0.548mm，在芯片级功率MOSFET中实现超小体积，且导通电阻比非芯片级器件提高10倍。20V的P沟道Si8461DB和

【出处】

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今日电子

【发表日期】

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2009年12期

【关键词】

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功率MOSFET 芯片级小封装负载开关导通电阻 MICRO 最大尺寸栅极驱动

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MICRO FOOT功率MOSFET Si8461DB和Si8465DB最大尺寸为1mm×1mm×0.548mm，在芯片级功率MOSFET中实现超小体积，且导通电阻比非芯片级器件提高10倍。20V的P沟道Si8461DB和Si8465DB可用于负载开关、电池开关和充电开关应用。在4.5V栅极驱动下，Si8461DB的导通电阻为0.1Ω。除4.5V的电压等级，

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