【摘 要】
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利用质量分离的低能双离子束外延技术,得到了(Ga,Mn,As) 化合物.衬底温度 523K 条件下生长的样品的俄歇电子谱表明,一部分锰淀积在 GaAs 的表面形成一层厚度约为 30 nm 的外
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利用质量分离的低能双离子束外延技术,得到了(Ga,Mn,As) 化合物.衬底温度 523K 条件下生长的样品的俄歇电子谱表明,一部分锰淀积在 GaAs 的表面形成一层厚度约为 30 nm 的外延层,另一部分锰离子成功注入到 GaAs 基底里,注入深度约为 160 nm.衬底温度为 523K 时获得了 Ga5.2Mn 相,衬底温度为 673K 时获得了 Ga5.2Mn、Ga5Mn8 和 Mn3Ga 相.在 1113K 条件下对 673K 生长的样品进行退火,退火后样品中原有的 Mn3Ga 消失,Ga5Mn8
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