高稳定性的SiO2/HKUST-1复合膜的制备及氢气分离性能

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以多孔二氧化硅片为基底,通过接枝硅烷偶联剂制备高稳定性能的SiO2与HKUST-1复合无机膜。具体做法是将3-氨丙基甲基二甲氧基硅烷拌接枝在SiO2片上,在SiO2片表面上接枝的氨基可以参与生长HKUST-1膜,从而制备出大面积连续致密的HKUST-1无机膜。通过X-射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、热重分析(TGA)、单组份及混合组分的渗透流量测试装置对得到的复合无机膜的化学结构、表面形貌、热稳定性和气体分离性能进行了表征。结果表明:制备的复合无机膜具有与其晶体一致的晶相,且连续致密,无缺陷
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