【摘 要】
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据报道,国外不少半导体厂家已掌握了硅栅N沟道工艺。这样,N沟道器件就有可能在大容量随机存取存储器方面取代P沟道器件,理由是N沟道器件具有优越的性能指标: 1.N-MOS存储器
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据报道,国外不少半导体厂家已掌握了硅栅N沟道工艺。这样,N沟道器件就有可能在大容量随机存取存储器方面取代P沟道器件,理由是N沟道器件具有优越的性能指标: 1.N-MOS存储器将比大多数P-MOS存储器的速度快1到2倍(N-MOS存储器的存取时间为100毫微秒或更短一些,而P-MOS的典型存取时间为200到300毫微
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