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包含键环境修正的硅氢紧束缚势模型
包含键环境修正的硅氢紧束缚势模型
来源 :物理学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户:yyw2dy2001
【摘 要】
:
在已有的硅势模型基础上,引进氢原子,计及Si-H键环境的影响,构造出新的硅氢紧束缚势模型.通过测试计算,这一新的硅氢势模型显示出较好的传递性,可适宜于研究复杂的硅氢体系.
【作 者】
:
潘必才
【机 构】
:
中国科学技术大学物理系,
【出 处】
:
物理学报
【发表日期】
:
2004年期
【关键词】
:
紧束缚势模型
半导体
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在已有的硅势模型基础上,引进氢原子,计及Si-H键环境的影响,构造出新的硅氢紧束缚势模型.通过测试计算,这一新的硅氢势模型显示出较好的传递性,可适宜于研究复杂的硅氢体系.
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