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利用二维热传导模型分析了GaN激光器的温度特性．计算了有源区在连续工作条件下的最大温升，分析了激光器工作时的功率密度和p电极比接触电阻率等参数对温度特性的影响．模拟结果表明，采用不同衬底和不同装配形式对器件温度特性的影响很大，正装形式下，窄的脊形条宽能提高器件的高温工作稳定性。
脊形结构GaN蓝光激光器的热模拟分析
【摘 要】
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利用二维热传导模型分析了GaN激光器的温度特性．计算了有源区在连续工作条件下的最大温升，分析了激光器工作时的功率密度和p电极比接触电阻率等参数对温度特性的影响．模拟结果表
【机 构】
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中国科学院半导体研究所
【出 处】
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半导体学报
【发表日期】
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2004年12期
【基金项目】
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国家高技术研究发展计划资助项目 (批准号 :2 0 0 2 AA3 1116Z)~~
其他文献
提出了注氢硅片表面借助键合氧化硅片进行剥离的热动力学模型，这种剥离现象是退火过程中氢离子注入区氢气泡横向增长的结果，氢气泡的增长速率依赖于氢复合体分解和氢分子扩散所