锗置换硅对SrAl2Si2O8:Eu^2+晶体结构和光谱特性的影响

来源 :兵器材料科学与工程 | 被引量 : 0次 | 上传用户:rommer006
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通过高温固相合成Sr0.955Al2Si2-xGexO8∶Eu^2+(x =0-1.0)系列试样荧光粉,系统研究Ge^4+置换Si4+对其晶体结构和光谱特性的影响。Ge^4+以类质同相替代SrAl2Si2O8晶格中的Si4+形成连续固溶体,晶胞参数a,b,c,β和晶胞体积V随Ge^4+置换量的增加呈线性递增。荧光激发谱为宽带,位于230-400 nm,可拟合成4个峰,表观峰值位于351 nm处;随着Ge^4+置换量的增加,半高宽从105 nm减小到95 nm。发射光谱位于380-600 nm,可由406
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