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界面处理对AlGaN/GaN MIS-HEMTs器件动态特性的影响

来源 :发光学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：Melissachen

【作 者】

：

韩军  赵佳豪  赵杰  邢艳辉  曹旭  付凯  宋亮  邓旭 

【出 处】

：

发光学报

【发表日期】

：

2019年07期

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