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分别采用SPS和无压烧结工艺制备了AlN—SiC微波衰减材料。采用网络分析仪及扫描电镜检测仪，研究了衰减材料在X波段和Ku波段的介电性能及微观结构。研究结果表明：SPS制备的样品相对密度达到98％，介电性能在x波段ε为14．01～13．98，tgδ为0．158～0．163，在Ku波段ε’为11．48～10．96，tgδ为0．18-0．17；采用无压烧结制备的样品密度仅为理论密度的95％，在X波段的ε’为26．97～24．26，t驴为0．326～0．327。探讨了两种烧结方式制备样品的损耗机理。